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拖尾色譜柱

更新時間:2023-10-17

簡要描述:

NT-C18 Plus 是公司設計用于解決堿性化合物峰形拖尾問題而開發的產品,拖尾色譜柱采用*的鍵合和封尾技術,大大減少了填料中的殘余硅羥基,有效抑制液相色譜中的峰形拖尾,改善峰形、提高柱效。同時,NT-C18 Plus在色譜柱前內置一個Odreams®技術的保護柱,使用和維護更方便,色譜柱使用壽命更長。

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NT-C18 Plus拖尾色譜柱的性能優勢

  • *的鍵合和封尾技術,堿性化合物峰形好

  • 柱效高、質量穩定性好

  • 內置Odreams®技術保護柱,使用壽命長

  • 主要用于堿性化合物等容易拖尾的樣品分析

NT-C18 Plus拖尾色譜柱設計原理

液相色譜分析中堿性化合物峰形拖尾是一種非常普遍、常見的現象,究其原因是由于色譜柱內填料中的殘余硅羥基引起的。殘余硅羥基是在填料鍵合的過程中產生,且由于立體效應無法*消除,是硅膠基質色譜柱不可避免的負面影響。殘余硅羥基具有弱酸性,在流動相中存在一定成都的電離,形成Si-O–負離子,而帶氨基的堿性化合物在流動相中易形成氨基正離子-H3N+、-RH2N+或-R2HN+,正負離子之間的相互吸引力較強,比液相分析中起主要作用的分子間作用力大得多,由于靜電吸引力是近程作用力,只有相對較少的樣品分子能與殘余硅羥基的Si-O–負離子相互作用,因此在色譜分離過程中,少量樣品分子保留能力變強,出峰滯后,由此產生了譜圖中的峰形拖尾。

殘余硅羥基是引起樣品峰形拖尾的主要原因。液相方法中通常通過調整流動相的pH、在流動相中加入三乙胺、辛烷磺酸鈉、四丁基溴化銨等試劑用于改善峰形,其原理都是抑制殘余硅羥基的Si-O–負離子與氨基正離子的靜電作用,從而達到改善峰形的目的。譜寧科技對NT-C18的設計原理亦是如此,通過從填料源頭上消除殘余硅羥基,阻礙二者的靜電作用以改善拖尾,殘余硅羥基沒有了,自然也就不會與樣品分子產生次級保留作用,因而抑制了峰形拖尾,改善峰形、提高柱效。

Pntulips® NT-C18 Plus性能參數

Pntulips® 郁金香系列鍵合相

孔徑

比表面積

封尾

載碳量

pH范圍

是否帶內置保護柱

Pntulips® NT-C18 Plus

150?

250m2/g

13%

1.5~9.5


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